파트넘버.co.kr 2SA1930 데이터시트 PDF


2SA1930 반도체 회로 부품 판매점

SILICON PNP TRANSISTOR



LZG 로고
LZG
2SA1930 데이터시트, 핀배열, 회로
2SA1930(3CA1930)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于一般功率放大和驱动级放大
Purpose: General power and driver stage amplifier applications.
特点:特征频率高,与 2SC5171(3DA5171)互补。
Features: High fT, complementary pair with 2SC5171(3DA5171).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO
-180
V
VCEO
-180
V
VEBO
-5.0
V
IC
-2.0
A
IB
-1.0
A
PC(Ta=25℃)
2.0
W
PC(Tc=25℃)
20
W
Tj 150 ℃
Tstg
-55~150
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
VCEO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
测试条件
Test condition
IC=-10mA
VCB=-180V
VEB=-5.0V
VCE=-5.0V
VCE=-5.0V
IC=-1.0A
VCE=-5.0V
VCE=-5.0V
VCB=-10V
IB=0
IE=0
IC=0
IC=-100mA
IC=-1.0A
IB=-100mA
IC=-1.0A
IC=-300mA
IE=0 f=1.0MHz
最小值
Min
-180
100
50
数值
Rating
典型值
Typ
-0.24
-0.68
200
26
最大值
Max
-5.0
-5.0
320
-1.0
-1.5
单位
Unit
V
μA
μA
V
V
MHz
pF
http://www.lzg.so
http://www.Datasheet4U.com


2SA1930 데이터시트, 핀배열, 회로
2SA1930(3CA1930)
http://www.lzg.so
http://www.Datasheet4U.com




PDF 파일 내의 페이지 : 총 2 페이지

제조업체: LZG

( lzg )

2SA1930 transistor

데이터시트 다운로드
:

[ 2SA1930.PDF ]

[ 2SA1930 다른 제조사 검색 ]




국내 전력반도체 판매점


상호 : 아이지 인터내셔날

전화번호 : 051-319-2877

[ 홈페이지 ]

IGBT, TR 모듈, SCR, 다이오드모듈, 각종 전력 휴즈

( IYXS, Powerex, Toshiba, Fuji, Bussmann, Eaton )

전력반도체 문의 : 010-3582-2743



일반적인 전자부품 판매점


디바이스마트

IC114

엘레파츠

ICbanQ

Mouser Electronics

DigiKey Electronics

Element14


관련 데이터시트


2SA1930

TRANSISTOR (POWER/ DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) - Toshiba Semiconductor



2SA1930

Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor



2SA1930

SILICON PNP TRANSISTOR - LZG



2SA1930

Trans GP BJT PNP 180V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS - New Jersey Semiconductor



2SA1931

Silicon PNP Epitaxial Type Transistor - Toshiba



2SA1932

Silicon PNP Epitaxial Type Transistor - Toshiba Semiconductor



2SA1933

Silicon PNP Epitaxial Type Transistor - Toshiba Semiconductor



2SA1934

Silicon PNP Epitaxial Type Transistor - Toshiba Semiconductor



2SA1937

SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTOR - Toshiba Semiconductor