BP103-3 반도체 회로 부품 판매점
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
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 Siemens Semiconductor Group |
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BP 103
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q Hohe Linearität
q TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieβharz, mit Basisanschluβ
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
q High linearity
q TO-18, base plate, transparent epoxy resin
lens, with base connection
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgeräte
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q Computer-controlled flashes
q Photointerrupters
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BP 103
Q62702-P75
BP 103-2
Q62702-P79-S1
BP 103-3
Q62702-P79-S2
BP 103-4
BP 103-51)
Q62702-P79-S4
Q 62702-P781
1) Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
211
10.95
BP 103
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature, ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature, ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter -base voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Top; Tstg
TS
TS
VCE
IC
ICS
VEB
Ptot
RthJA
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
260 °C
300 °C
50 V
100 mA
200 mA
7V
150 mW
500 K/W
Semiconductor Group
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제조업체: Siemens Semiconductor Group
( siemens )
BP103-3 transistor
데이터시트 다운로드 :
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국내 전력반도체 판매점
상호 : 아이지 인터내셔날
전화번호 : 051-319-2877
[ 홈페이지 ]
IGBT, TR 모듈, SCR, 다이오드모듈, 각종 전력 휴즈
( IYXS, Powerex, Toshiba, Fuji, Bussmann, Eaton )
전력반도체 문의 : 010-3582-2743
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