3DD4013B1D 반도체 회로 부품 판매점
Silicon NPN Transistor
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 Huajing Microelectronics |
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4013 B1D
○R
产品概述
3DD4013 B1D 是 硅
NPN 型功率开关晶体管，该
产品采用平面工艺，分压环
终端结构和少子寿命控制
技术，提高了产品的击穿电
压、开关速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot （Ta=25℃）
400
1.3
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃～40℃
1 年 265℃
相对湿度 ＜85％
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定，Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流（tp＜5ms）
基极直流电流
基极脉冲电流（tp＜5ms）
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
700
400
9
1.3
2.6
0.65
1.3
0.8
150
-55～150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热阻
参数名称
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
2014 版
单位
℃/W
1/5
3DD4013 B1D
○R
电参数
除非另有规定，Ta= 25℃
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=700V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
共发射极正向电流传输比的静态值 hFE* VCE=5V, IC=0.2A
小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0. 2A
IC=0.5A, IB=0.1A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.5A, IB=0.1A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600，IC=0.1A
下降时间
tf
特征频率
fT
VCE=10V, IC=50mA
f=1MHz
* 脉冲测试，脉冲宽度 tp≤300μs，占空比 δ≤2%
◆ ts 分档 2~2.5~3~3.5~4μs hFE 分档 15~20~25~30
规范值
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
400
9
15 30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.4 0.8 V
1 1.5 V
2 4 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
有害物质说明
有毒有害物质或元素
部件名称
（含量要求）
铅
Pb
引线框
≤0.1%
○
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
≤0.1% ≤0.01% ≤0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
≤0.1%
○
多溴二
苯醚
PBDE
≤0.1%
○
六溴环
十二烷
HBCDD
≤0.1%
○
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
≤0.1%
○
≤0.1%
○
≤0.1%
○
塑封树脂 ○
○
○
○
○
○
○
○
○○
管芯
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
焊料
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
○：表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×：表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
2014 版
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제조업체: Huajing Microelectronics
( huajing )
3DD4013B1D transistor
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