D1N80 반도체 회로 부품 판매점
Rectifier Diode
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 SHINDENGEN |
Single
D1N80
800V1A
特長
煙高耐圧
煙高 IFSM
Feature
煙 HighVoltage
煙 LargeIFSM
RectifierDiode
■外観図 OUTLINE
Package：AX057
V8 00
Unit：mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,referto ourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tl＝25℃）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperationJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
IFSM1
50Hz正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装，Ta＝25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Onglass-epoxysubstrate,Ta=25˚C
50Hz正弦波，非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj＝25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
tp＝1ms,Tj＝25℃，非繰り返し
tp=1ms,Tj=25˚C,Non-repetitive
規格値
Ratings
－55～150
150
800
1
30
62
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tl＝ 25℃）
VF
IR
θjl
θja
IF＝1A,
パルス測定
Pulsemeasurement
VR＝VRM,
パルス測定
Pulsemeasurement
接合部・リード間
Junctiontolead
接合部・周囲間，プリント基板実装 ,l＝ 5mm
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate,l=5mm
MAX 1.05
MAX 10
MAX 10
MAX 113
V
μA
℃/W
（J534-P〈2010.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
D1N80
Peak Surge Forward Current Capability
l
l
Peak Surge Forward Current Capability
Ta-Io
Derating Curve Ta-Io
l
l
l
＊ Sinewaveは 50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J534-P〈2010.06〉）
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제조업체: SHINDENGEN
( shindengen )
D1N80 rectifier
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