|
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS740C
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 10 A
VDSS 400 V
Rdson(@Vgs=10V) 0.54 Ω
Qg 19.7nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
z低 Crss (典型值 22pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 22pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
封装
Package
JCS740VC-O-V-N-B
JCS740RC-O-R-N-B
JCS740RC-O-R-N-A
JCS740SC-O-S-N-B
JCS740RC-O-S-N-A
JCS740BC-O-B-N-B
JCS740CC-O-C-N-B
JCS740FC-O-F-N-B
JCS740VC
JCS740RC
JCS740RC
JCS740SC
JCS740SC
JCS740BC
JCS740CC
JCS740FC
IPAK
DPAK
DPAK
TO-263
TO-263
TO-262
TO-220C
TO-220MF
无卤素
Halogen
Free
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
包 装 器件重量
Packaging Device Weight
条管 Tube
条管 Tube
编带 Reel
条管 Tube
编带 Reel
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
0.35 g(typ)
0.30 g(typ)
0.30 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
1.71 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
版本:201601B
1/14
R JCS740C
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数值
项目
Parameter
符号
Symbol
JCS740
VC/RC
Value
JCS740
SC/BC/CC
JCS740FC
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
400
连续漏极电流
Drain Current -continuous
ID T=25℃
T=100℃
10
6.3
10*
6.3*
最大脉冲漏极电流(注 1)
Drain Current - pulse
(note 1)
IDM
40 40*
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
±30
单脉冲雪崩能量(注 2)
Single Pulsed Avalanche
Energy(note 2)
EAS
450
雪崩电流(注 1)
Avalanche Current(note 1)
IAR
10
重复雪崩能量(注 1)
Repetitive Avalanche Current
(note 1)
EAR
13.4
二极管反向恢复最大电压变化
速率(注 3)
Peak Diode Recovery dv/dt
(note 3)
dv/dt
5.5
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25℃
-Derate
above 25℃
183
1.47
134
1.08
44
0.35
最高结温及存储温度
Operating and
Temperature Range
Storage TJ,TSTG
-55~+150
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature TL
for Soldering Purposes
300
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
单
位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本:201601B
2/14
|