JCS3N25FT 반도체 회로 부품 판매점
N-CHANNEL MOSFET
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 JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS3N25T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 3 A
VDSS 250 V
Rdson（@Vgs=10V） 1.74Ω
Qg 4.4 nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High frequency switching
mode power supply
z Electronic ballast
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
z低 Crss (典型值 4.5pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 4.5pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JCS3N25VT-O-V-N-B
JCS3N25RT-O-R-N-B
JCS3N25RT-O-R-N-A
JCS3N25CT-O-C-N-B
JCS3N25FT-O-F-N-B
JCS3N25VT
JCS3N25RT
JCS3N25RT
JCS3N25CT
JCS3N25FT
封装
Package
IPAK
DPAK
DPAK
TO-220C
TO-220MF
无卤素
Halogen
Free
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
包装
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
编带 Brede
条管 Tube
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
0.35 g(typ)
0.30 g(typ)
0.30 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
版本：201302C
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R JCS3N25T
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
符号
Symbol
数值
Value
JCS3N25VT/RT/CT JCS3N25FT
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
250 250
连续漏极电流
Drain Current -continuous
ID
T=25℃
T=100℃
3
1.98
3*
1.55*
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note 1）
IDM
12 12*
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
±30
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy
（note 2）
EAS
305
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
IAR
3
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Energy
（note 1）
EAR
10.1 4.1
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
dv/dt
4.5
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25℃
-Derate
above
25℃
101
0.81
41
0.33
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
TJ，TSTG
-55～+150
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
TL
300
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
单
位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本：201302C
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제조업체: JILIN SINO-MICROELECTRONICS
( jsm )
JCS3N25FT mosfet
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상호 : 아이지 인터내셔날
전화번호 : 051-319-2877
[ 홈페이지 ]
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( IYXS, Powerex, Toshiba, Fuji, Bussmann, Eaton )
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