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JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS540T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 33 A
VDSS 100 V
Rdson(@Vgs=10V) 44 mΩ
Qg 37.0 nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
z低 Crss (典型值 71pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 71pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
JCS540CT-O-C-N-B
JCS540FT-O-F-N-B
JCS540BT-O-B-N-B
JCS540ST-O-S-N-B
JCS540ST-O-S-N-B
JCS540WT-O-W-N-B
印记
Marking
JCS540CT
JCS540FT
JCS540BT
JCS540ST
JCS540ST
JCS540WT
封装
Package
TO-220C
TO-220MF
TO-262
TO-263
TO-263
TO-247
无卤素
Halogen
Free
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
包装
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
卷盘 Reel
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
1.71 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
5.20 g(typ)
版本:201505C
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R JCS540T
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
符号
Symbol
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
连续漏极电流
Drain Current -continuous
ID
T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流(注 1)
Drain Current - pulse
(note 1)
IDM
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
单脉冲雪崩能量(注 2)
Single Pulsed Avalanche Energy(note 2)
EAS
雪崩电流(注 1)
Avalanche Current(note 1)
IAR
重复雪崩能量(注 1)
Repetitive Avalanche Current(note 1)
EAR
数值
Value
JCS540CT/BT JCS540FT
/ST/WT
100 100
33 33*
23 23*
132 132*
±30
800
33
13
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3)
Peak Diode Recovery dv/dt(note 3)
dv/dt
5.9
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25℃
-Derate
above
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
TJ,TSTG
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
TL
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
130 40
0.87 0.27
-55~+150
300
单位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本:201505C
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