JCS50N06VH 반도체 회로 부품 판매점
N-CHANNEL MOSFET
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 JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS50N06H
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID
VDSS
Rdson-max
（@Vgs=10V）
Qg-typ
50 A
60 V
23 mΩ
34 nC
用途
高频开关电源
UPS 电源
APPLICATIONS
High frequency switch
mode power supplies
UPS
产品特性
低栅极电荷
低 Crss
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗 dv/dt 能力
RoHS 产品
FEATURES
Low gate charge
Low Crss
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JCS50N06CH-O-C-N-B
JCS50N06FH-O-F-N-B
JCS50N06VH-O-V-N-B
JCS50N06RH-O-R-N-B
JCS50N06RH-O-R-N-A
JCS50N06CH
JCS50N06FH
JCS50N06VH
JCS50N06RH
JCS50N06RH
封装
Package
TO-220C
TO-220MF
IPAK
DPAK
DPAK
无卤素
Halogen
Free
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
否 NO
包装
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
卷盘 Reel
器件重量
Device
Weight
2.06 g(typ)
2.22 g(typ)
0.35 g(typ)
0.35 g(typ)
0.35 g(typ)
版本：201510D
1/11
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS50N06H
项目
Parameter
符号
数 值 Value
单位
Symbol JCS50N06RH/VH JCS50N06CH JCS50N06FH Unit
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
连续漏极电流
Drain Current -continuous
ID
T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流(注 1)
Drain Current – pulse（note 1）
IDM
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
单脉冲雪崩能量(注 2)
Single Pulsed Avalanche Energy
（note 2）
EAS
雪崩电流(注 1)
Avalanche Current（note 1）
IAR
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Energy（note EAR
1）
60
50
31.7
200*
±20
500
50
8.75 10.3
50*
31.7*
V
A
A
A
V
mJ
A
5.6 mJ
二极管反向恢复最大电压变化速率
(注 3)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/d（t note 3）
7.0 V/ns
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25℃
-Derate
above
25℃
87.5
0.70
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature TJ，TSTG
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
TL
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
103.8
0.83
-55～+150
300
56 W
0.45 W/℃
℃
℃
版本：201510D
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제조업체: JILIN SINO-MICROELECTRONICS
( jsm )
JCS50N06VH mosfet
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전화번호 : 051-319-2877
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