SSS1N60 반도체 회로 부품 판매점
600V N-Channel MOSFET
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 Tuofeng Semiconductor |
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
SSS12N60
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 12 A
VDSS 600 V
Rdson（@Vgs=10V） 0.65Ω
Qg 39nC
封装 Package
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
z低 Crss (典型值 23pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 23pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
SSS12N60
SSS12N60
封装
Package
TO-220F
无卤素
Halogen
Free
否 NO
包装
Packaging
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
2.15 g(typ)
1/9
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
SSS12N60
项目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
符号
Symbol
VDSS
数值
Value
SSS12N60
600
单位
Unit
V
连续漏极电流
ID
Drain Current -continuous
T=25℃
12
A
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note 1）
IDM
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
EAS
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
IAR
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current（note 1）
EAR
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
dv/dt
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25℃
-Derate
above
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
TJ，TSTG
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
TL
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
48
±30
880
12
25
4.5
250 51
2.0 0.41
55～+150
300
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
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제조업체: Tuofeng Semiconductor
( tuofeng )
SSS1N60 mosfet
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