|
Siemens Semiconductor Group |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
Chip position (2.7)
Cathode (SFH 480)
Anode (SFH 216, SFH 231,
SFH 400)
ø0.45
Radiant
Sensitive area
5.3 14.5
5.0 12.5
7.4
6.6
Approx. weight 0.5 g
GEO06314
ø0.45
welded
14.5
12.5
(2.7)
Chip position
0.91.1
5.3
5.0 glass
6.4 lens
5.6
Approx. weight 0.35 g
Anode = SFH 481
Cathode = SFH 401
1.10.9 (package)
ø5.6
ø5.3
GET06091
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Chip position (2.7)
ø0.45
5.5
5.0
14.5 5.3
12.5 5.0
Cathode (SFH 402, BPX 65)
Anode (SFH 482)
Approx. weight 0.5 g
Radiant sensitive area
1.10.9
0.91.1
ø5.6
ø5.3
GET06013
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Wesentliche Merkmale
q Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
q Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
q Hohe Zuverlässigkeit
q Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q Hermetisch dichtes Metallgehäuse
q SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
q SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,
BPY 63
q SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q IR-Gerätefernsteuerungen
Features
q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q Anode is electrically connected to the case
q High reliability
q Matches all Si-Photodetectors
q Hermetically sealed package
q SFH 480: Same package as SFH 216
q SFH 481: Same package as BPX 43,
BPY 63
q SFH 482: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
q Photointerrupters
q IR remote control of various equipmet
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 480-2
Q62703-Q1662
SFH 480-3
Q62703-Q1663
SFH 481
Q62703-Q1088
SFH 481-1
Q62703-Q1664
SFH 481-2
Q62703-Q1665
SFH 482
Q62703-Q1089
SFH 482-1
Q62703-Q1667
SFH 482-2
Q62703-Q1668
SFH 482-3
Q62703-Q1669
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-
Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Ge-
häuseboden
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm
(1/10’’), cathode marking: projection at package
Semiconductor Group
2
1998-04-16
|