BP104S 반도체 회로 부품 판매점
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode/ New: Silicon PIN Photodiode
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 Siemens Semiconductor Group |
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode
New: Silicon PIN Photodiode
Chip position
1.1
0.9
6.7
6.2
4.5
4.3
1.6 ±0.2
BP 104 S
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
Cathode lead
GEO06861
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-
Reflow-Löten
q SMT-fähig
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q IR-Fernsteuerungen
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q Short switching time (typ. 20 ns)
q Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
q Suitable for SMT
Applications
q Photointerrupters
q IR remote controls
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
BP 104 S
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1605
Semiconductor Group
1
1997-11-19
BP 104 S
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Top; Tstg
VR
Ptot
Wert
Value
– 40 ... + 85
Einheit
Unit
°C
20 V
150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit VR = 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
IR
Sλ
η
Wert
Value
55 (≥ 40)
Einheit
Unit
nA/lx
850 nm
400 ... 1100 nm
4.84
2.20 × 2.20
mm2
mm × mm
0.3 mm
± 60
2 (≤ 30)
0.62
0.90
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
Semiconductor Group
2
1997-11-19
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제조업체: Siemens Semiconductor Group
( siemens )
BP104S diode
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