Datasheet RT1C060UN Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RT1C060UN	1.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET RT1C060UN  Structure Silicon N-channel MOSFET  Dimensions (Unit : mm) TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package (TSST8). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol : VB  Appl	ROHM Semiconductor

RT1C06 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RT1C060UN	1.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET RT1C060UN  Structure Silicon N-channel MOSFET  Dimensions (Unit : mm) TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package (TSST8). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) (2) (3) (4) Abbreviated s	ROHM Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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