Datasheet IXFT18N90P Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IXFT18N90P	Polar Power MOSFET HiPerFET PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFH18N90P IXFT18N90P IXFV18N90P IXFV18N90PS VDSS ID25 RDS(on) trr = = ≤ ≤ 900V 18A 600mΩ 300ns TO-247 (IXFH) G D S D (TAB) TO-268 (IXFT) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dV/dt P	IXYS Corporation

IXFT18N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IXFT18N100Q3	Power MOSFET ( Transistor ) Datasheet.es Advance Technical Information HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier IXFT18N100Q3 IXFH18N100Q3 VDSS ID25 RDS(on) = 1000V = 18A ≤ 660mΩ TO-268 (IXFT) G S D (Tab) V V V V A A A J V/ns W °C	IXYS Corporation
IXFT18N90P	Polar Power MOSFET HiPerFET PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFH18N90P IXFT18N90P IXFV18N90P IXFV18N90PS VDSS ID25 RDS(on) trr = = ≤ ≤ 900V 18A 600mΩ 300ns TO-247 (IXFH) G D S D (TAB) TO-268 (IXFT) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID2	IXYS Corporation

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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