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PDF BSS192 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BSS192 | |
| Descripción | SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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BSS 192
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
• P channel
• Enhancement mode
• Logic Level
• VGS(th) = -0.8...-2.0 V
Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4
GD S D
Type
BSS 192
Type
BSS 192
VDS
-240 V
ID
-0.15 A
Ordering Code
Q62702-S634
RDS(on)
20 Ω
Package
SOT-89
Tape and Reel Information
E6327
Marking
KB
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 kΩ
Gate source voltage
Continuous drain current
TA = 34 °C
DC drain current, pulsed
TA = 25 °C
Power dissipation
TA = 25 °C
Symbol
VDS
VDGR
VGS
ID
IDpuls
Ptot
Values
-240
-240
± 20
-0.15
-0.6
1
Unit
V
A
W
Semiconductor Group
1
18/02/1997
1 page  
BSS 192
Power dissipation
Ptot = ƒ(TA)
1.2
W
1.0
Ptot
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
TA
Safe operating area ID=f(VDS)
parameter : D = 0.01, TC=25°C
Drain current
ID = ƒ(TA)
parameter: VGS ≥ -10 V
-0.16
A
ID
-0.12
-0.10
-0.08
-0.06
-0.04
-0.02
0.00
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
TA
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = ƒ(Tj)
Semiconductor Group
-285
V
-275
V(BR)DS-S270
-265
-260
-255
-250
-245
-240
-235
-230
-225
-220
-215
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj
5 18/02/1997
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BSS192 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |  NXP Semiconductors |
| BSS192 | SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) | Siemens Semiconductor Group |
| BSS192 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP Semiconductors |
| BSS192P | SIPMOS Small-Signal-Transistor |  Infineon Technologies AG |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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