1N5400 반도체 회로 부품 판매점
Axial Lead Standard Recovery Silicon Rectifiers
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 NTE |
1I5400 thru 1N5408
Axial Lead Standard Recovery
Silicon Rectifiers, 3 Amp, DO−201AD
Features:
D 3 Amp Operation at TA = +75°C with no Thermal Runaway
D High Current Capability
D Low Leakage
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified, Note 1)
Peak Repetitive Reverse Voltage,
DC
Reverse Voltage,
1N5400 . . . . .
.V.R.
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VRRM
......
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50V
1N5401 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
1N5402 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
1N5403 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
1N5404 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
1N5405 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
1N5406 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
1N5407 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
1N5408 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
Maximum RMS Voltage
1N5400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
1N5401 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
1N5402 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V
1N5403 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210V
1N5404 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V
1N5405 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V
1N5406 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V
1N5407 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560V
1N5408 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
Average Rectified Current (.375” Lead Length, TA = +75°C), IO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
Peak F(oSruwpaerrdimSpuorgseedCounrreanRt,aItFe(sdurLgoea) d, 8.3ms Single Half−Sine Wave) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti+o2n5, °PCD
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. . . 6.25W
50mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +20°C/W
Note 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device
may be impaired.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Maximum Reverse Current
IR Rated DC Voltage TA = +25°C − − 5.0 μA
TA = +100°C −
− 500 μA
Maximum Forward Voltage
VF iF = 3A
− − 1.2 V
Average Reverse Current
IR(AV) Full Cycle, TA = +105°C
− − 0.5 mA
Junction Capacitance
VR = 4V, f = 1MHz
− 30 − pF
1.000 (25.4)
Min
.375 (9.5)
Max
.052 (1.32) Dia Max
Color Band Denotes Cathode
.210 (5.33)
Dia Max
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제조업체: NTE
( nte )
1N5400 rectifier
데이터시트 다운로드 :
[ 1N5400.PDF ]
[ 1N5400 다른 제조사 검색 ]
국내 전력반도체 판매점
상호 : 아이지 인터내셔날
전화번호 : 051-319-2877
[ 홈페이지 ]
IGBT, TR 모듈, SCR, 다이오드모듈, 각종 전력 휴즈
( IYXS, Powerex, Toshiba, Fuji, Bussmann, Eaton )
전력반도체 문의 : 010-3582-2743
관련 데이터시트
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HIGH CURRENT PLASTIC SILICON RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 3.0 Amperes) - Pan Jit International Inc.
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3.0 AMPS. SILICON RECTIFIERS - Surge Components
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50V, 3A, HIGH CURRENT PLASTIC SILICON RECTIFIER - TRSYS
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SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE - 50 Volts CURRENT - 3.0 Amperes) - Wing Shing Computer Components
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3.0A SILICON RECTIFIER - Won-Top Electronics
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3A, 50V, SILICON RECTIFIER - Zowie Technology Corporation
1N5400
3A, 50V, SILICON RECTIFIER - Rectron Semiconductor