|
|
Datasheet WNM3018 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | WNM3018 | MOSFET ( Transistor ) WNM3018
Small Signal N-Channel, 30V, 0.2A, MOSFET
VDS (V) Typical Rds(on) (Ω) 1.2@ VGS=10V
30 1.4@ VGS=4.5V 1.9@ VGS=2.5V
ESD Rating: 2000V HBM
Descriptions
The WNM3018 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) wit |
WillSEMI |
WNM3 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
WNM3003 | N-Channel MOSFET |
TY Semiconductor |
|
WNM3017 | MOSFET ( Transistor ) |
WillSEMI |
|
WNM3025 | MOSFET ( Transistor ) |
WillSEMI |
Esta página es del resultado de búsqueda del WNM3018. Si pulsa el resultado de búsqueda de WNM3018 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |