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Datasheet UPA2806 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | UPA2806 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet
μ PA2806
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Description
R07DS0008EJ0100 Rev.1.00 June 01, 2010
The μ PA2806 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications.
Features
• Low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 57 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A |
Renesas |
UPA2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
UPA2003C | NPN Silicon Epitaxial Darlington Transistor Array |
NEC |
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UPA2004C | (UPA2001C / UPA2002C / UPA2003C) NPN Silicon Epitaxial Darlington Transistor Array |
NEC |
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UPA2451B | N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
NEC |
Esta página es del resultado de búsqueda del UPA2806. Si pulsa el resultado de búsqueda de UPA2806 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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