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Datasheet TK56E12N1 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 TK56E12N1   MOSFETs

TK56E12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) TK56E12N1 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 120 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V
 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor		 datasheet TK56E12N1 pdf

TK56E1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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TK56E12N1

MOSFETs

TK56E12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) TK56E12N1 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 120 V) Enhancement mode
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

 Sanken
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