Datasheet TK2P60D Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	TK2P60D	MOSFETs TK2P60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK2P60D Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.3 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 600 V	Toshiba Semiconductor

TK2P Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
TK2P60D	MOSFETs TK2P60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK2P60D Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.3 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 1.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS =	Toshiba Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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