Datasheet TK150E09NE Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	TK150E09NE	MOSFET ( Transistor ) TK150E09NE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSⅧ-H) TK150E09NE  E-Bike  Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 3.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)  Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 85 V)  Enhancement mode : Vth = 2.5~4.5 V (VDS = 10	Toshiba Semiconductor

TK150E0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
TK150E09NE	MOSFET ( Transistor ) TK150E09NE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSⅧ-H) TK150E09NE  E-Bike  Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 3.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)  Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 85 V)  Enhancement mode : Vth =	Toshiba Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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