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Datasheet TK10J80E Equivalent ( PDF )

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1 TK10J80E   MOSFETs

TK10J80E MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS) TK10J80E 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.7 Ω (typ.) Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 640 V) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID
 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor		 datasheet TK10J80E pdf

TK10J Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
TK10J80E

MOSFETs

TK10J80E MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS) TK10J80E 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.7 Ω (typ.) Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 640 V) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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