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TIM7785-8SL 전자부품 데이터시트



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TIM7785-8SL  

Toshiba
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TIM7785-8SL

MICROWAVE POWER GaAs FET

MICROWAVE POWER GaAs FET MICROWAVE SEMICONDUCTOR TIM7785-8SL TECHNICAL DATA FEATURES „ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3=-45 dBc at Pout= 28.5dBm Single Carrier Level „ HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 7.7GHz to 8.5GHz „ HIGH GAIN G1dB=6.0dB at 7.7GHz to 8.5GH


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