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Datasheet TH58NYG4S0FBAID Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | TH58NYG4S0FBAID | 16 GBIT (2G x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TH58NYG4S0FBAID
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
16 GBIT (2G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
DESCRIPTION
The TH58NYG4S0F is a single 1.8V 16 Gbit (18,152,947,712 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 232) b |
Toshiba |
TH58NYG4S0FB Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
TH58NYG4S0FBAID | 16 GBIT (2G x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM |
Toshiba |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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