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Datasheet TH58NVG7T2ELA46 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | TH58NVG7T2ELA46 | 128 GBIT (4G x 8 BIT x 4) CMOS NAND E2PROM TOSHIBA CONFIDENTIAL TH58NVG7T2ELA46
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
128 GBIT (4G × 8 BIT x 4) CMOS NAND E2PROM (Multi-Level-Cell)
DESCRIPTION
The TH58NVG7T2E is a single 3.3 V 128 Gbit (145,572,102,144bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only M |
Toshiba |
TH58NVG7T2EL Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
TH58NVG7T2ELA46 | 128 GBIT (4G x 8 BIT x 4) CMOS NAND E2PROM |
Toshiba |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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