Datasheet SSH8N70 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	SSH8N70	N-Channel Power MOSFET / Transistor	Samsung

SSH8 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SSH8N80	N-Channel Power MOSFET / Transistor	Samsung
SSH8N90A	Advanced Power MOSFET Advanced Power MOSFET SSH8N90A FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µA (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 Ω (Typ.) Absolute Maximum Ratings	Fairchild Semiconductor
SSH8N80A	N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES • Avalanche Rugged Technology • Rugged Gate Oxide Technology • Lower Input Capacitance • Improved Gate Charge • Extended Safe Operating Area • Lower Leakage Current: 25µA (Max.) @ VDS = 800V • Lower RDS(ON): 1.000Ω (Typ.) ABSOLUT	Fairchild Semiconductor

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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