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SEMIX302GB12E4S 전자부품 데이터시트



SEMIX302GB12E4S 전자부품 회로 및
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SEMIX302GB12E4S  

Semikron International
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SEMIX302GB12E4S

Trench IGBT Modules

SEMiX302GB12E4s Absolute Maximum Ratings Symbol IGBT VCES IC ICnom ICRM ICRM = 3xICnom VCC = 800 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1200 V VGES tpsc Tj Inverse diode IF SEMiX302GB12E4s Conditions Values 1200 Unit V A A A A V µs °C A A A A A °C A °C V Tj = 175 °C


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