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RQK0201QGDQA  

Renesas
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RQK0201QGDQA

Silicon N-Channel MOS FET

RQK0201QGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 25 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) • Low drive current • High speed switching • 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: M


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