Datasheet RQ3E080BN Equivalent ( PDF )

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1	RQ3E080BN	N-ch 30V 8A Middle Power MOSFET RQ3E080BN 　　Nch 30V 8A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 15.2mΩ ±8A 2W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lOutline HSMT8 　　　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　�	ROHM Semiconductor

RQ3E08 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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RQ3E080BN	N-ch 30V 8A Middle Power MOSFET RQ3E080BN 　　Nch 30V 8A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 15.2mΩ ±8A 2W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lOutline HSMT8 　　　　　　　　 lInner circuit �	ROHM Semiconductor
RQ3E080GN	N-ch 30V 8A Power MOSFET RQ3E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET Datasheet VDSS RDS(on) at 10V (Max.) RDS(on) at 4.5V (Max.) ID PD 30V 16.7mW 22.8mW 8A 2.0W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) 100% Rg and UIS Teste	ROHM Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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