파트넘버.co.kr RJP6065DPM 데이터시트 검색

RJP6065DPM 전자부품 데이터시트



RJP6065DPM 전자부품 회로 및
기능 검색 결과



RJP6065DPM  

Renesas
Renesas

RJP6065DPM

N-Channel IGBT

Preliminary Datasheet RJP6065DPM Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead pl


  [1] 




사이트 맵

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    

D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O

    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z


PartNumber.co.kr   |  2020    |  연락처