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RJP30E2DPK-M0  

Renesas
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RJP30E2DPK-M0

N-Channel Power MOSFET / Transistor

Preliminary Datasheet RJP30E2DPK-M0 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • • • • Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak c


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