Datasheet RJK0655DPB Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RJK0655DPB	Silicon N Channel Power MOS FET RJK0655DPB 60V, 35A, 6.7m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features  High speed switching  Low drive current  Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V)  Pb-free  Halogen-free  High density mounting Outline RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A (P	Renesas Technology

RJK0655 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RJK0655DPB	Silicon N Channel Power MOS FET RJK0655DPB 60V, 35A, 6.7m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features  High speed switching  Low drive current  Low on-resistance RDS(on) = 5.3 m typ. (at VGS = 10 V)  Pb-free  Halogen-free  High density mounting Outline RENESAS Package c	Renesas Technology

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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