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RJH1CM6DPQ-E0 전자부품 데이터시트



RJH1CM6DPQ-E0 전자부품 회로 및
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RJH1CM6DPQ-E0  

Renesas
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RJH1CM6DPQ-E0

IGBT

Preliminary Datasheet RJH1CM6DPQ-E0 1200V - 20A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (10 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.1 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built-in fas


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