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Datasheet PXAC201202FC Equivalent ( PDF )

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1 PXAC201202FC   Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

PXAC201202FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz Description The PXAC201202FC is a 120-watt LDMOS FET for use in multistandard cellular power amplifier applications in the 1800 to 2200 MHz frequency band. Its asymmetric and dual-path design make it ideal for D
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PXAC20120 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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PXAC201202FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

PXAC201202FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz Description The PXAC201202FC is a 120-watt LDMOS FET for use in multistandard cellular power amplifier applications in the 1800 to 2200 MHz frequency band. Its asymmetric and dual-path design
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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