Datasheet PTU2N60 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	PTU2N60	600V N-Channel MOSFET PTD2N60/PTU2N60 600V N-Channel MOSFET Features • 1.9A, 600V, RDS(on) = 4.70Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 9nC) • High ruggedness • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability General Description This Power MOSFET is produced using PHILOP's advanced pla	PHILOP

PTU2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
PTU2N60	600V N-Channel MOSFET PTD2N60/PTU2N60 600V N-Channel MOSFET Features • 1.9A, 600V, RDS(on) = 4.70Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 9nC) • High ruggedness • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability General Description This Power MOSFET is produced using P	PHILOP

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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