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PE606DT 전자부품 회로 및
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PE606DT  

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PE606DT

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PE606DT Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS Q2 30V RDS(ON) 11mΩ @VGS = 10V Q1 30V 16mΩ @VGS = 10V ID 30A 23A PDFN 3X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2




관련 부품 PE606 상세설명

PE606BA  

  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PE606BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 20mΩ @VGS = 10V ID3 22A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS ±20 Tc = 25 °C



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