Datasheet NE5510179A Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	NE5510179A	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET PRELIMINARY DATA SHEET 3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ NE5510179A TRANSMISSION AMPLIFIERS FEATURES • HIGH OUTPUT POWER: 29.5 dBm TYP VDS = 3.5 V, IDQ = 200 mA, f = 1.9 GHz, PIN = 22 dBm • HIGH LINEAR GAIN: 11 dB TYP VDS = 3.5 V, IDQ = 200 mA, f = 1.9 GHz, PIN = 5dBm • HIGH	NEC

NE55101 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
NE5510179A	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET PRELIMINARY DATA SHEET 3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ NE5510179A TRANSMISSION AMPLIFIERS FEATURES • HIGH OUTPUT POWER: 29.5 dBm TYP VDS = 3.5 V, IDQ = 200 mA, f = 1.9 GHz, PIN = 22 dBm • HIGH LINEAR GAIN: 11 dB TYP VDS = 3.5 V, IDQ = 200 mA, f = 1.9 GHz,	NEC

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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