|
|
Datasheet NE5510179A Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | NE5510179A | 3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET PRELIMINARY DATA SHEET
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ NE5510179A TRANSMISSION AMPLIFIERS
FEATURES
• HIGH OUTPUT POWER: 29.5 dBm TYP VDS = 3.5 V, IDQ = 200 mA, f = 1.9 GHz, PIN = 22 dBm • HIGH LINEAR GAIN: 11 dB TYP VDS = 3.5 V, IDQ = 200 mA, f = 1.9 GHz, PIN = 5dBm • HIGH |
NEC |
NE55101 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
NE5510179A | 3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET |
NEC |
Esta página es del resultado de búsqueda del NE5510179A. Si pulsa el resultado de búsqueda de NE5510179A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |