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NE3510M04 전자부품 데이터시트



NE3510M04 전자부품 회로 및
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NE3510M04  

CEL
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NE3510M04

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

DATA SHEET HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR NE3510M04 L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Low noise figure and high associated gain NF = 0.45 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ f = 4 GHz, VDS = 2 V, ID = 15 mA NF = 0.35 dB TYP., Ga


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