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Datasheet NE3509M04 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | NE3509M04 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
PRELIMINARY PRODUCT INFORMATION HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR
NE3509M04
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
- Super Low Noise Figure & Associated Gain : NF=0.4dB TYP. Ga=17.5dB TYP. @f=2GHz, VDS=2V,ID=10mA - Flat-lead 4-pin tin-type super mini-m |
 CEL |
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NE3509 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| NE3509M04 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
CEL |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del NE3509M04. Si pulsa el resultado de búsqueda de NE3509M04 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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