Datasheet MTE09N06J3 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	MTE09N06J3	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C912J3 Issued Date : 2015.06.17 Revised Date : Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE09N06J3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A RDS(ON)@VGS=7V, ID=20A 60V 50A 7 mΩ(typ) 7.9 mΩ(typ) Features • Low On Resistance �	Cystech Electonics

MTE09N0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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MTE09N06J3	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C912J3 Issued Date : 2015.06.17 Revised Date : Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE09N06J3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A RDS(ON)@VGS=7V, ID=20A 60V 50A 7 mΩ(typ) 7.9 mΩ(typ) Features • L	Cystech Electonics
MTE09N06FP	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C912FP Issued Date : 2015.05.19 Revised Date : 2015.06.29 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE09N06FP BVDSS ID @ VGS=10V, TC=25°C RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 60V 52A 7.4mΩ 8.1mΩ Featur	Cystech Electonics

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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