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Datasheet MTE015N10QH8 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | MTE015N10QH8 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C168H8 Issued Date : 2016.06.02 Revised Date : Page No. : 1/10
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTE015N10QH8 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C
ID@VGS=10V, TA=25°C RDSON(typ)@VGS=10V, ID=20A
100 V 39 A
8.8A 12.6 mΩ
Features
• Single Drive Requirement • |
Cystech Electonics |
MTE015N10 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
MTE015N10QH8 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Cystech Electonics |
Esta página es del resultado de búsqueda del MTE015N10QH8. Si pulsa el resultado de búsqueda de MTE015N10QH8 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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