Datasheet MTE013N08E3 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	MTE013N08E3	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C161E3 Issued Date : 2016.01.17 Revised Date : 2016.02.19 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE013N08E3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A • Low On Resistance • Simple Drive Requirem	Cystech Electonics

MTE013N0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
MTE013N08H8	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C161H8 Issued Date : 2016.03.04 Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE013N08H8 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 80V 40A 10.5A 9.1 mΩ(typ) Features • Low On Res	Cystech Electonics
MTE013N08E3	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C161E3 Issued Date : 2016.01.17 Revised Date : 2016.02.19 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE013N08E3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A • Low On Resistance • S	Cystech Electonics

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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