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Datasheet MTB1K0P25J3 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | MTB1K0P25J3 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C091J3 Issued Date : 2015.10.07 Revised Date : 2015.10.13 Page No. : 1/9
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB1K0P25J3 BVDSS ID@VGS=-10V, TC=25°C
RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-3A
RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-3A
-250V -3.2A 1.0Ω(typ) 1.1Ω(typ)
Features
• Low Gat |
 Cystech Electonics |
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MTB1K0P2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| MTB1K0P25J3 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Cystech Electonics |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del MTB1K0P25J3. Si pulsa el resultado de búsqueda de MTB1K0P25J3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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