Datasheet MTB080C10Q8 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	MTB080C10Q8	N- and P-channel enhancement mode power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C703Q8 Issued Date : 2016.07.22 Revised Date : Page No. : 1/12 N- and P-channel enhancement mode power MOSFET MTB080C10Q8 BVDSS ID@VGS=10V(-10V), TA=25°C RDSON(typ.) @VGS=(-)10V RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V N-CH 100V 2.9A 74mΩ 90mΩ P-CH -100V -1.9A 174mΩ 195	Cystech Electonics

MTB080C1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
MTB080C10Q8	N- and P-channel enhancement mode power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C703Q8 Issued Date : 2016.07.22 Revised Date : Page No. : 1/12 N- and P-channel enhancement mode power MOSFET MTB080C10Q8 BVDSS ID@VGS=10V(-10V), TA=25°C RDSON(typ.) @VGS=(-)10V RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V N-CH 100V 2.9A 74mΩ 90mΩ P-CH -1	Cystech Electonics

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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