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Datasheet MGF4964BL Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Category
1MGF4964BLLow Noise GaAs HEMT

< Low Noise GaAs HEMT > MGF4964BL Micro-X type plastic package DESCRIPTION The MGF4964BL super-low noise InGaAs HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in K band amplifiers. Outline Drawing FEATURES Low noise figure @ f=20GHz NFmin. = 0.65dB (Typ.) High associated gain @ f=2
Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor
data


MGF Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes Catagory
1MGF0904L /S BAND POWER GaAs FET

Mitsubishi
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2MGF0904L /S BAND POWER GaAs FET

Mitsubishi
Mitsubishi
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3MGF0904AL /S BAND POWER GaAs FET

Mitsubishi
Mitsubishi
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4MGF0904AL /S BAND POWER GaAs FET

Mitsubishi
Mitsubishi
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5MGF0905L /S BAND POWER GaAs FET

Mitsubishi
Mitsubishi
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6MGF0905AL /S BAND POWER GaAs FET

Mitsubishi
Mitsubishi
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7MGF0906L /S BAND POWER GaAs FET

Mitsubishi
Mitsubishi
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nuevas actualizaciones

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

Sanken
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