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번호 파트넘버 MGF1801B 기능 및 상세설명 제조사 PDF
2 MGF1801B     MICROWAVE POWER GaAs FET

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET MGF1801B MICROWAVE POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic for micro
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1 MGF1801BT     TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET

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