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번호 파트넘버 MGF1601 기능 및 상세설명 제조사 PDF
3 MGF1601     MICROWAVE POWER GaAs FET

Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
MGF1601
2 MGF1601B     MICROWAVE POWER GaAs FET

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET MGF1601B MICROWAVE POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic for micro
Mitsubishi
Mitsubishi
MGF1601B
1 MGF1601B-01     High-power GaAs FET

< High-power GaAs FET (small signal gain stage) > MGF1601B-01 S to X BAND / 0.15W non - matched DESCRIPTION The MGF1601B-01, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically
Mitsubishi
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MGF1601B-01


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해외 판매점 Mouser Electronics DigiKey Electronics Element14
전력반도체 전문 판매 ( IGBT 모듈, TR 모듈, SCR 모듈, 다이오드 모듈 ) 및 공작기계 매입 : 010-3582-2743

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