Datasheet MGF0912A Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	MGF0912A	L & S BAND GaAs FET MITSUBISHI SEMICONDUCTOR MGF0912A L & S BAND GaAs FET [ non – matched ] DESCRIPTION The MGF0912A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use L/S band amplifiers. OUTLINE DRAWING Unit : millimeters FEATURES • High output power Po=41.5dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm	Mitsubishi Electric

MGF09 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
MGF0906	L /S BAND POWER GaAs FET	Mitsubishi
MGF0904A	L /S BAND POWER GaAs FET	Mitsubishi
MGF0910A	L / S BAND POWER GaAs FET MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET MGF0910A L, S BAND POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF0910A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. OUTLINE DRAWING 17.5 1 Unit:millimeters FEATURES • Class A operation • High output power P1	Mitsubishi

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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