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M58CR064D85ZB6T 전자부품 데이터시트



M58CR064D85ZB6T 전자부품 회로 및
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M58CR064D85ZB6T  

ST Microelectronics
ST Microelectronics

M58CR064D85ZB6T

64 Mbit 4Mb x 16 / Dual Bank / Burst 1.8V Supply Flash Memory

M58CR064C, M58CR064D M58CR064P, M58CR064Q 64 Mbit (4Mb x 16, Dual Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.65V to 2V for Program, Erase and Read – VDDQ = 1.65V to 3.3V for I/O Buffers – VPP = 12V for fast Program


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