Datasheet L2SD2114KXLT1 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	L2SD2114KXLT1	Epitaxial planar type NPN silicon transistor LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Epitaxial planar type NPN silicon transistor zFeatures 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) Pb-Free package is available. L2SD2	Leshan Radio Company

L2SD2114KX Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
L2SD2114KXLT1	Epitaxial planar type NPN silicon transistor LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Epitaxial planar type NPN silicon transistor zFeatures 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) Pb-Free package	Leshan Radio Company

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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