|
КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Д
КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Д
КТ8156 n-p-n составной биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона) с интегральн
DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors •Bipolar Transistors Part КТ220А9 КТ220Б9 КТ220В9 КТ220Г9 КТ3102АM КТ3102БM КТ3102ВM КТ3102ГM КТ3102ДM КТ3102ЕM КТ3102ЖM КТ3102ИM КТ3102КM КТ3107А КТ3107Б КТ3107В КТ3107Г КТ3107Д КТ3107Е КТ3107Ж КТ310
Транзисторы биполярные n-p-n большой мощности низкой и средней частоты Название КТ815Б Материал Si Ik max,A 1.5 Ik и max,A 3 Uкэo гр(Uкэо,и max)[Uкэr max],B40 Uэбо max(Uэбо,и max),B 5 Pк max(P
КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и ли
|
사이트 맵 |
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C |
PartNumber.co.kr | 2020 | 연락처 |